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標(biāo)題: 美國(guó)黑科技:激光使電子設(shè)備不再依賴半導(dǎo)體材料 [打印本頁(yè)]
作者: 寂靜天花板 時(shí)間: 2016-11-30 12:38
標(biāo)題: 美國(guó)黑科技:激光使電子設(shè)備不再依賴半導(dǎo)體材料
據(jù)外媒報(bào)道,,美國(guó)加州大學(xué)圣地亞哥分校科學(xué)家開發(fā)了一種新型微電子設(shè)備,,未來(lái)PC中由半導(dǎo)體材料制造的處理器可能被取而代之。6 g2 T% V# [7 w$ Y- w5 a$ y5 e
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這一新技術(shù)還處于早期的開發(fā)階段,,但它牽涉一些有趣的研究和頗具科幻色彩的概念。加州大學(xué)圣地亞哥分校工程師開發(fā)了一種由光控制的微電子設(shè)備,,其中包含由金納米管構(gòu)成的超穎表面,。受到激光照射后,超穎表面能產(chǎn)生高強(qiáng)度電場(chǎng),。
這種不采用半導(dǎo)體材料的新型微電子設(shè)備,,有朝一日將解決現(xiàn)代微處理器所面臨的一個(gè)難題。處理器依靠電子遷移正常運(yùn)行,,問題是,,這些電子會(huì)不斷與原子碰撞,其中許多電子可能遷移不到它們的目的地——在處理器運(yùn)行過程中,,許多電子損耗了。
這種新型微電子設(shè)備通過“模仿”老式真空管——當(dāng)然是在微尺度上,,嘗試解決這一問題,。設(shè)備中的蘑菇形狀納米管,在硅晶圓上形成超穎表面,,兩者用二氧化硅層隔開,。當(dāng)施加低直流電壓、照射低能量紅外激光時(shí),,這一結(jié)構(gòu)就能夠產(chǎn)生高強(qiáng)度電場(chǎng),,使電子能“自由”遷移。
這種試驗(yàn)性技術(shù)能一次性使更多電子受到控制,,受到更少干擾,,這意味著采用這一技術(shù)制造的處理器性能將超過當(dāng)前基于半導(dǎo)體材料的處理器。這一技術(shù)被應(yīng)用在智能手機(jī)中還需要相當(dāng)長(zhǎng)一段時(shí)間,,但它是解決現(xiàn)代電子設(shè)備面臨的一個(gè)幾乎無(wú)解問題的有趣概念和途徑,。
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