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標(biāo)題: 芯片里的金屬 [打印本頁]

作者: xbq1013    時(shí)間: 2022-4-30 09:30
標(biāo)題: 芯片里的金屬
金屬材料在芯片工藝的演進(jìn)中發(fā)揮著重要作用,。在先進(jìn)制程的尺寸不斷縮小的過程中,,貴金屬及其合金材料在實(shí)現(xiàn)小線寬、低電阻率、高黏附性等方面扮演著關(guān)鍵角色,。進(jìn)入21世紀(jì)后,芯片材料共增加了約40余種元素,,其中約90%都是貴金屬和過渡金屬材料,。

貴金屬是芯片先進(jìn)工藝的推手之一,英特爾新近引入了金屬銻和釕做金屬接觸,,讓電容更小,,突破了硅的限制。此前,,英特爾在10nm工藝節(jié)點(diǎn)的部分互連層上率先導(dǎo)入鈷材料,,達(dá)到了5~10倍的電子遷移率改善,將通路電阻降低了兩倍,。

英特爾在互聯(lián)材料的探索之路上并不孤單,。應(yīng)用材料是最早投入以鈷作為導(dǎo)線材料,取代傳統(tǒng)銅和鎢的半導(dǎo)體技術(shù)大廠之一,;格羅方德在7nm制程工藝中同樣用鈷代替了鎢,。目前,三星和臺積電等也在積極研發(fā)新型互聯(lián)材料,。預(yù)計(jì)在不遠(yuǎn)的將來,,鈷合金、釕和銠等新一代互聯(lián)材料有望閃亮登場,,為先進(jìn)工藝芯片搭建橋梁,。

“芯片城市”里的道路如何互聯(lián)

“如果把一枚芯片比作一座城市,那么晶體管是其核心區(qū),,負(fù)責(zé)信息的運(yùn)算,,互連層就相當(dāng)于城市的道路負(fù)責(zé)信息與外界的交通�,!痹诮邮堋吨袊娮訄�(bào)》記者采訪時(shí),,鎂光資深工程師盛海峰博士如此形象地比喻。

盛海峰認(rèn)為,,摩爾定律下,,當(dāng)核心區(qū)的晶體管越來越小、密度越來越大時(shí),,道路就會(huì)越來越窄,、越來越密,。當(dāng)核心區(qū)的密度大到一定程度時(shí),道路的運(yùn)輸能力,,即互連層的RC延遲,,就成為整個(gè)芯片速度提升和功耗降低的瓶頸。在此情況下,,互連層的金屬材料需要通過升級換代,,來為晶體管核心區(qū)的“道路”提速。

摩爾定律的延續(xù)與互聯(lián)材料的演進(jìn)息息相關(guān),。清華大學(xué)研究員王琛作為技術(shù)負(fù)責(zé)人,,曾先后任職于英特爾和芯片設(shè)備制造商泛林半導(dǎo)體,對高端芯片材料和先進(jìn)芯片制造及架構(gòu)有深入研究,。王琛向《中國電子報(bào)》記者解釋,,互聯(lián)材料其實(shí)就是前端晶體管層與后端外部電路層之間電信號互聯(lián)傳遞的導(dǎo)線。

量子效應(yīng)的增強(qiáng)是互聯(lián)材料面臨的一大挑戰(zhàn),。王琛向記者表示,,當(dāng)前晶體管在多個(gè)幾何維度進(jìn)入亞10nm尺度,材料的量子效應(yīng)開始顯著,,晶體管繼續(xù)微縮就會(huì)遇到材料,、工藝和器件結(jié)構(gòu)的挑戰(zhàn)。作為連接前端晶體管層和最外層的封裝植球?qū)拥暮诵�,,中端和后端的互�?lián)材料微縮也面臨量子效應(yīng)增強(qiáng)的挑戰(zhàn),。

銅和“大馬士革工藝”

上世紀(jì)90年代,半導(dǎo)體制程進(jìn)入0.18微米時(shí)代,,后段鋁互聯(lián)技術(shù)就遇到了巨大瓶頸,。為此,世界各大半導(dǎo)體制造公司都在尋找能替代鋁的金屬,。由于銅價(jià)格不貴,,導(dǎo)電性能好,還容易沉積,,大家不約而同地想到了銅,。但是,因?yàn)殂~不能用干法蝕刻,,所以后端互聯(lián)問題遲遲無法解決,。

為尋找靈感,一位IBM工程師來到了素有“人間花園”之稱的大馬士革,。機(jī)緣巧合下,,他看到了一位在偏僻角落從事金屬鑲嵌工作的匠人。

在觀摩匠人鑲嵌工藝時(shí),,工程師的腦海中不斷浮現(xiàn)這樣的場景:雕刻類似蝕刻,,鑲嵌與沉積相似,。他突然意識到,銅雖然不能被蝕刻,,但可以沉積,。與大馬士革工藝類似,工程師可以先在介電層上蝕刻金屬導(dǎo)線用的圖膜,,然后再填充金屬,以實(shí)現(xiàn)多層金屬互連,,無需進(jìn)行金屬層蝕刻,。就這樣,這位工程師順利解決了銅互聯(lián)技術(shù)問題,,并將這項(xiàng)工藝命名為大馬士革工藝,。

時(shí)代在進(jìn)步,線寬在縮小,。2018年,,應(yīng)用材料等公司又用鈷作為導(dǎo)線材料,在部分領(lǐng)域取代傳統(tǒng)的銅,、鎢線,。

談及鋁、銅,、鈷導(dǎo)線的代際變化,,盛海峰向記者表示,銅取代鋁是因?yàn)樗鼘?dǎo)電性更好,,可以降低RC延遲中的電阻,。在很多邏輯芯片中,銅全面取代鋁,,也就是將所有互連層都升級為銅,。但鈷對銅的取代有所不同。鈷只是在互連層很窄的時(shí)候才對銅有導(dǎo)電性的優(yōu)勢,,所以鈷只是在金屬0層(M0)和金屬1層(M1)取代銅,,其他互連層還是會(huì)繼續(xù)用銅。

從鈷到釕,、銠

英特爾率先在10nm工藝節(jié)點(diǎn)的部分互連層上導(dǎo)入鈷材料,,實(shí)現(xiàn)了5~10倍的電子遷移率改善,將通路電阻降低了兩倍,;應(yīng)用材料是最早投入以鈷作為導(dǎo)線材料,,取代傳統(tǒng)銅和鎢的半導(dǎo)體大廠之一;格羅方德在7nm制作工藝中同樣用鈷代替了鎢,。

如何保證在20nm甚至更小的尺度,,將電阻率維持在較低水平,,是互聯(lián)材料研發(fā)的核心。王琛表示,,鈷的引入雖然帶來了不少良率和可靠性上的問題,,但在互聯(lián)材料領(lǐng)域是一個(gè)大跨越,突破了現(xiàn)有的銅材料體系,,整體對10nm芯片性能有一定提升,。

更重要的是,鈷的引入為后期更小的節(jié)點(diǎn)工藝做好了技術(shù)儲備,,預(yù)計(jì)對7nm后節(jié)點(diǎn)性能的提升將更為顯著,。

互聯(lián)材料正在朝著超薄低電阻率、無阻擋層,、低延遲方向演進(jìn),。目前,三星和臺積電等都在積極研發(fā)新型互聯(lián)材料,。王琛表示,,在不遠(yuǎn)的將來,鈷合金,、釕和銠等新一代互聯(lián)材料也有望登場,。

同時(shí),無擴(kuò)散阻擋層的互聯(lián)線,,甚至在晶體管層下預(yù)埋互聯(lián)電軌,,也都是解決互聯(lián)材料挑戰(zhàn)的方向。

引入新金屬材料助力先進(jìn)制程

貴金屬材料在芯片工藝的演進(jìn)過程中發(fā)揮著重要作用,。半導(dǎo)體行業(yè)專家池憲念向《中國電子報(bào)》記者表示,,半導(dǎo)體芯片不斷朝著體積小、速度快,、功耗低的趨勢發(fā)展,,要求接觸點(diǎn)的接觸電阻低,較寬溫度范圍內(nèi)的熱穩(wěn)定好,、附著好,,對橫向均勻、擴(kuò)散層薄等也提出更高要求,。

因此,,在先進(jìn)制程尺寸不斷縮小的過程中,貴金屬及其合金材料在實(shí)現(xiàn)小線寬,、低電阻率,、高黏附性、接觸電阻低等方面扮演著關(guān)鍵角色,。

在芯片工藝制程不斷提升的過程中,,晶體管面臨的主要挑戰(zhàn)是抑制短溝道效應(yīng),。盛海峰表示,現(xiàn)階段,,F(xiàn)inFET工藝最多延伸至3nm,。在3nm及以下節(jié)點(diǎn),GAAFET工藝是主要方向,。GAAFET主要使用傳統(tǒng)材料,,最大的挑戰(zhàn)是工藝精度控制。

面對這一挑戰(zhàn),,新金屬材料的引入較為關(guān)鍵,。盛海峰對記者說,三星使用了鑭摻雜來提升Vt(門檻電壓),。而對于互連層來說,,新材料的引入除了有互連層金屬鈷,,還有互連層金屬和互連層絕緣層之間的屏障層,。屏障層的作用是黏合互連金屬和絕緣層,以及提升互連層的電子遷移可靠性,。鉭和釕都是屏障層里已經(jīng)使用和正在探索的新元素,。

當(dāng)前,全球2nm芯片制程之戰(zhàn)的號角已經(jīng)吹響,。2011年,,22nm節(jié)點(diǎn)引入了FinFET工藝取代平面型晶體管;全新的GAA和CFET等工藝則有望在3nm節(jié)點(diǎn)左右逐步引入,。

這些過程將涉及大量的摻雜控制,、應(yīng)變控制等材料問題。王琛向記者表示,,在亞1nm節(jié)點(diǎn),,相關(guān)材料的挑戰(zhàn)越發(fā)凸顯,材料量子效應(yīng)將發(fā)揮顯著作用,。屆時(shí),,硅基材料的量子效應(yīng)調(diào)控、材料的原子級加工,、器件的單電子波動(dòng)問題,,將深刻挑戰(zhàn)現(xiàn)有材料體系和制造工藝。新的材料體系,,例如層狀半導(dǎo)體,、新原理器件和新加工工藝的引入勢在必行。

“據(jù)悉,,二維半導(dǎo)體材料因尺寸較小,,有望幫助突破2納米先進(jìn)制程,。”南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授萬青對《中國電子報(bào)》記者說,。

新增芯片材料九成是金屬
貴金屬具有優(yōu)異的導(dǎo)電,、穩(wěn)定和導(dǎo)熱性能,是半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵核心材料,。進(jìn)入21世紀(jì)之后,,芯片材料共增加了約40余種元素,其中約90%都是貴金屬和過渡金屬材料,,可見金屬材料在芯片領(lǐng)域應(yīng)用的重要性,。

應(yīng)用于芯片制造領(lǐng)域的金屬材料擁有更高“門檻”。池憲念以互聯(lián)材料中的金屬為例告訴記者,,芯片級金屬材料要考慮接觸電阻,、納米級別的黏合度等因素,所以銅,、鈷等金屬要在做成高純度靶材或者合金靶材之后,,才能用在芯片制造環(huán)節(jié)。目前,,德國賀利氏,、美國霍尼韋爾國際股份有限公司、日本東曹株式會(huì)社主要生產(chǎn)芯片級的銅和鈷,。

受俄烏局勢影響,,鈀金成為了目前最火的貴金屬之一。俄羅斯的鈀金產(chǎn)量約占全球總量的40%,,鈀金出口量占比達(dá)到35%,。鈀金可用于傳感器等半導(dǎo)體元器件中,也是芯片封裝環(huán)節(jié)的重要原料之一,。

有研億金新材料有限公司副總經(jīng)理何金江對《中國電子報(bào)》記者表示,,鈀及銀鈀合金等是制備MLCC電容器、諧振器的重要材料,;在半導(dǎo)體后道的封裝環(huán)節(jié),,鈀合金及鍍鈀絲主要用作電子封裝的引線鍵合,用來替代金絲,;此外,,鈀可以用于元器件精密連接的鈀合金焊料�,;阝Z的特性,,新的材料和應(yīng)用也在開發(fā)中。

貴金屬材料在芯片領(lǐng)域主要有四方面應(yīng)用。王琛向《中國電子報(bào)》記者表示,,第一是互聯(lián)材料,。比如早期的鋁到銅,到Al-Cu合金和鎢,,以及在研的最新的鈷,、釕等。

第二是金屬柵極材料,。自從2007年英特爾在45nm節(jié)點(diǎn)引入高介電-金屬柵晶體管結(jié)構(gòu),,鉭、氮化鉭,、氮化鈦,、氮鋁鈦(TiAlN)等材料體系得到了廣泛應(yīng)用,金屬硅化物接觸也經(jīng)歷了從鈦,、鈷和鎳到金屬硅化物體系的演進(jìn),。

第三是金屬阻擋層黏附層材料,比如鈦/氮化鈦,、鉭/氮化鉭等常用于芯片制造和先進(jìn)封裝中的阻擋層黏附層材料,。

第四是后端封裝用金屬材料,包括傳統(tǒng)的鉛基合金和無鉛銻,、錫,、銀,、銦基合金等,。另外,后期基板互聯(lián)等也涉及大量貴金屬材料,。其中,,芯片前端納米底層互聯(lián)金屬、金屬柵極材料,、阻擋黏附層材料等,,均是金屬材料研發(fā)的前沿。因此,,如何在小尺度保持高電導(dǎo)率,、低電遷移率、薄膜均勻結(jié)晶性,、高熱擴(kuò)散性,、工藝可集成性等特性,成為芯片金屬材料的研究重點(diǎn)和下一代高性能芯片的材料瓶頸,。

金屬漲價(jià)對芯片沖擊較小

集成電路領(lǐng)域重要的貴金屬主要包括金,、銀和鉑金。當(dāng)前,俄烏局勢的變化對全球鋁,、鎳,、鈀金、鉑金等有色金屬和貴金屬供應(yīng)造成沖擊,,讓相關(guān)產(chǎn)品的價(jià)格有所上漲,,貴金屬市場頻繁出現(xiàn)波動(dòng)。由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈整體具有一定的封閉性,,前期受新冠肺炎疫情沖擊,,整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈問題得到一定凸顯。很多業(yè)內(nèi)人士都擔(dān)心,,貴金屬市場的波動(dòng)很可能會(huì)進(jìn)一步擾動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性,。

貴金屬是重要的半導(dǎo)體材料之一,其價(jià)格的波動(dòng)會(huì)對芯片制造的成本產(chǎn)生一定影響,。池憲念對《中國電子報(bào)》記者表示,,隨著貴金屬價(jià)格的波動(dòng),芯片制造的成本也會(huì)產(chǎn)生變化,。比如,,在貴金屬供應(yīng)鏈不穩(wěn)定的情況下,貴金屬的采購價(jià)格會(huì)隨之上漲,,導(dǎo)致芯片的成品價(jià)格也會(huì)同步上漲,。

不過,由于貴金屬在芯片中的應(yīng)用比重較小,,實(shí)際需求量也很小,,萬青認(rèn)為,貴金屬價(jià)格的波動(dòng)對芯片產(chǎn)業(yè)的影響不太大,。

以鈀金為例,。鈀金價(jià)格的上漲會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體行業(yè)的成本有所增加,但考慮到單個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)品對鈀金的需求量較少,,鈀金漲價(jià)對原材料庫存水位較高的企業(yè)影響很小,。另外,以鈀金為代表的貴金屬可以尋找其他貴金屬作為替代,,所以不太可能面臨斷供這樣的嚴(yán)重問題,。

在王琛看來,貴金屬市場波動(dòng)對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響需要從短期和長期這兩個(gè)角度來看,。王琛向記者表示,,芯片的總體成本在于制造成本,而制造成本主要源自工藝成本,。貴金屬在芯片制造中不可或缺,,如果國際上的不穩(wěn)定因素不斷增加,,某一種關(guān)鍵金屬材料的短缺將在短期內(nèi)持續(xù)沖擊芯片價(jià)格。但由于貴金屬在芯片行業(yè)的總體材料用量占比和成本占比較低,,所以短期內(nèi)貴金屬價(jià)格的波動(dòng)對芯片產(chǎn)業(yè)鏈影響有限,。

而從長遠(yuǎn)角度來看,后疫情時(shí)代以及俄烏局勢的持續(xù)變化,,可能會(huì)帶來一些潛在的不穩(wěn)定因素,。王琛認(rèn)為,芯片的長供應(yīng)鏈特性也決定了其自身的脆弱性,。因復(fù)雜國際形勢導(dǎo)致的不穩(wěn)定因素,,可能會(huì)讓芯片相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)艿竭M(jìn)一步考驗(yàn),比如影響芯片行業(yè)中材料,、設(shè)備和設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)鏈的布局與整合,,對整體產(chǎn)業(yè)優(yōu)化方面的布局與突破造成不利影響。

新冠肺炎疫情等各種因素的疊加,,讓半導(dǎo)體供應(yīng)鏈處于整體上較為不穩(wěn)定的狀態(tài),。盛海峰向《中國電子報(bào)》記者表示,俄烏局勢對半導(dǎo)體供應(yīng)鏈肯定會(huì)有影響,,但這種影響可能不僅僅局限于貴金屬,。比如,烏克蘭是氖氣的主要供應(yīng)地,,俄烏局勢的復(fù)雜變化可能會(huì)影響氖氣供應(yīng),。






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