來自美國加州大學(xué)亨利·薩繆理工程和應(yīng)用科學(xué)分院,, 美國普渡大學(xué)和IBM公司的研究人員最近成功開發(fā)出了一種采用硅鍺半導(dǎo)體材料制成的納米線,,采用這種技術(shù),科學(xué)家們可以開發(fā)出尺寸更小的微電子設(shè)備,。這種 硅鍺材料納米線的直徑可控制在數(shù)十至數(shù)百納米之間,,長度則可達(dá)數(shù)微米。研究者可以以這種技術(shù)為基礎(chǔ),,研發(fā)出更高性能的高速電子設(shè)備,。該技術(shù)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)展示了幾種原子級尺寸的,采用不同的硅鍺材料制成的分層結(jié)構(gòu)納米線,,這種納米線可以有效地傳輸電荷,。研發(fā)人員展示的這種納米線其接口尺寸可以做到僅有一個(gè)原子大小,而過去,,阻礙人們制作超小尺寸納米線的障礙主要是有關(guān)技術(shù)的解像度不足,。
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美國加州大學(xué)的教授,該技術(shù)的研發(fā)者之一Suneel Kodambaka表示,,硅鍺半導(dǎo)體材料納米線技術(shù)不僅可被用于半導(dǎo)體應(yīng)用,,而且在汽車,,熱電領(lǐng)域也有較為廣闊的發(fā)展前景。: y" b- r0 M6 \
( W2 {3 _/ \, ? V1 H: s! S研發(fā)人員表示,,研發(fā)小組的下一步工作計(jì)劃是采用類似的技術(shù)制造出尺寸更大一點(diǎn)的納米線,,以便將這種納米線與常規(guī)的納米線的電性能進(jìn)行比對。 |