前沿科技之用于集成電路的先進(jìn)電鍍銅化學(xué)品

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巴斯夫（BASF）創(chuàng)造出一種先進(jìn)的電鍍銅化學(xué)品,，可滿足現(xiàn)今及未來芯片科技的需求,。巴斯夫與IBM 于2007 年6月開始這一聯(lián)合開發(fā)項(xiàng)目，這項(xiàng)創(chuàng)新的化學(xué)品解決方案是其直接成果,。這種解決方案的表現(xiàn)超越了市場(chǎng)上現(xiàn)有的其它化學(xué)品,；賦予電化學(xué)沉積銅工藝迅速,、無缺陷的超填孔 (superfill) 能力,，以制造更可靠,、更優(yōu)質(zhì)的芯片。
$ Q+ w% ]( p& s7 A6 c實(shí)現(xiàn)無缺陷的電導(dǎo)線沉積是成功沉積銅工藝最關(guān)鍵的條件,。在電鍍銅沉積工藝中,，傳統(tǒng)的等向性充填(conformal fill)會(huì)在形體的上、下,、外
圍產(chǎn)生同樣的銅沉積率,，形成接縫及缺陷。通過采用巴斯夫的化學(xué)品可以實(shí)現(xiàn)快速的充填,，一般稱為“超填孔(superfill)”,，可以將銅快速的充填至細(xì)小的通孔及溝槽，制造出無缺陷的銅導(dǎo)線,。通過超填充的方式,，底部的銅沉積率會(huì)比頂部及外圍更高,。
! U0 M) f: p9 M7 w銅導(dǎo)線可顯著改善芯片效能,，這種高傳導(dǎo)性金屬的沉積是建構(gòu)多層互連結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵性工藝。時(shí)下最先進(jìn)的芯片技術(shù)被稱為32 納米技術(shù)節(jié)點(diǎn),，而下一代的22 納米技術(shù)預(yù)期將于2011 年推出,。當(dāng)芯片尺寸越來越小，互連結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜,，要制造出高性能的芯片就更需要專門的化學(xué)知識(shí),。同時(shí)，純熟完善的化學(xué)工藝解決方案也是必不可少的,。
8 z/ C( v( z# G4 ^巴斯夫的電鍍銅化學(xué)品已經(jīng)可以應(yīng)用在 32 納米和22 納米的芯片技術(shù)中,，能明顯改善芯片銅導(dǎo)線的可靠性,，提升芯片的性能和質(zhì)量。
兩家公司正擴(kuò)展他們的合作計(jì)劃,，以確定量產(chǎn)所需的參數(shù),。相關(guān)的技術(shù)、化學(xué)品和材料預(yù)計(jì)可于 2010 年中期上市供應(yīng),。
巴斯夫全球電子材料業(yè)務(wù)部研發(fā)部門的資深經(jīng)理兼該項(xiàng)目負(fù)責(zé)人Dieter Mayer 表示：“我們?yōu)檫@一創(chuàng)新的化學(xué)品感到興奮無比,。巴斯 夫與IBM
團(tuán)隊(duì)選擇了一種新的方式，通過對(duì)于沉積銅物理特性的了解來設(shè)計(jì)分子添加劑系統(tǒng),。利用巴斯夫與IBM 強(qiáng)大的資源,，我們已經(jīng)克服了在電鍍銅方面的主要挑戰(zhàn)，朝著制造更小,、更快,、更可靠芯片的目標(biāo)又邁進(jìn)了一步�,！�

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22納米沒有隧穿效應(yīng)的制約了么,？？