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聚焦離子束FIB
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lasur_job 發(fā)表于: 2006-12-31 09:43 來源: 半導(dǎo)體技術(shù)天地
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聚焦離子束曝光技術(shù)
8 T& L0 K1 p# x; w/ J1 \馬向國1,、2,,顧文琪1
8 D7 e( i2 y) P; q(1,、中國科學(xué)院電工研究所,北京100080,;2,、中國科學(xué)院研究生院 北京100039)
0 Z' q d. }# p/ @, i摘要:聚焦離子束技術(shù)是一種集形貌觀測、定位制樣,、成份分析、薄膜淀積和無掩�,?涛g各過程于一身的新型微納加工技術(shù),。它大大提高了微電子工業(yè)上材料、工藝,、器件分析及修補的精度和速度,,目前已經(jīng)成為微電子技術(shù)領(lǐng)域必不可少的關(guān)鍵技術(shù)之一。對聚焦離子束曝光技術(shù)作了介紹,。 ( L+ \& q5 Y4 ?+ C
關(guān)鍵詞:聚焦離子束,,液態(tài)金屬離子源,曝光 4 I$ g& Q1 R V% @# b
中圖分類號:TN305.7 文獻標(biāo)識碼:A 文章編號:1004-4507(2005)12-0056-03 * v& L: I6 N2 D& B8 C' Z# [, q1 h6 C
聚焦離子束也可以像電子束那樣作為一種曝光手段,。離子束曝光有非常高的靈敏度,,這主要是因為在固體材料中的能量轉(zhuǎn)移的效率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于電子。常用的電子束曝光抗蝕劑對離子的靈敏度要比對電子束高100倍以上,。除了靈敏度高之外,,離子束曝光的另一優(yōu)點是幾乎沒有鄰近效應(yīng),。由于離子本身的質(zhì)量遠(yuǎn)大于電子,離子在抗蝕劑中的散射范圍要遠(yuǎn)小于電子,,并且?guī)缀鯖]有背散射效應(yīng),。本文首先對聚焦離子束系統(tǒng)做了簡單介紹,然后介紹了聚焦離子束曝光技術(shù)及其應(yīng)用,。 : N' r" S3 Z+ A6 ~/ s% y
1 液態(tài)金屬離子源
; o- b2 x6 O5 p( @# [, p f$ R% H離子源是聚焦離子束系統(tǒng)的心臟,,真正的聚焦離子束始于液態(tài)金屬離子源的出現(xiàn),液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子具有高亮度,、極小的源尺寸等一系列優(yōu)點,,使之成為目前所有聚焦離子束系統(tǒng)的離子源。液態(tài)金屬離子源是利用液態(tài)金屬在強電場作用下產(chǎn)生場致離子發(fā)射所形成的離子源[1,、2],。液態(tài)金屬離子源的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示 7 Z( \% K; t: d4 U
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3 S; @3 j/ Y% d @* y9 C* p4 v% I在源制造過程中,將直徑0.5mm左右的鎢絲經(jīng)過電化學(xué)腐蝕成尖端直徑只有5-10μm的鎢針,,然后將熔融的液態(tài)金屬粘附在鎢針尖上,,在外加強電場后,液態(tài)金屬在電場力作用下形成一個極小的尖端(泰勒錐),,液態(tài)尖端的電場強度可高達1010V/m,。在如此高的電場下,液態(tài)表面的金屬離子以場蒸發(fā)的形式逸出表面,,產(chǎn)生離子束流,。由于液態(tài)金屬離子源的發(fā)射面積極小,盡管只有幾微安的離子電流,,但電流密度約可達106A/cm2,,亮度約為20μA/sr。 1 g {8 v, t$ b
2 聚焦離子束系統(tǒng)的工作原理 & y% |' O1 D' F1 `) g
聚焦式離子束技術(shù)是利用靜電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的顯微切割技術(shù),,目前商用FIB系統(tǒng)的粒子束是從液態(tài)金屬離子源中引出,。由于鎵元素具有低熔點、低蒸汽壓以及良好的抗氧化力,,因而液態(tài)金屬離子源中的金屬材料多為鎵(Gallium,,Ga)[3、4],。圖2給出了聚焦離子束系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖,。
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$ i! |# N1 w" j; n7 T+ n+ r4 A1 ?在離子柱頂端外加電場(Suppressor)于液態(tài)金屬離子源,可使液態(tài)金屬或合金形成細(xì)小尖端,,再加上負(fù)電場(Extractor)牽引尖端的金屬或合金,,從而導(dǎo)出離子束,然后通過靜電透鏡聚焦,,經(jīng)過一連串可變化孔徑(Automatic Variable Aperture,,AVA)可決定離子束的大小,,而后用E×B質(zhì)量分析器篩選出所需要的離子種類,最后通過八極偏轉(zhuǎn)裝置及物鏡將離子束聚焦在樣品上并掃描,,離子束轟擊樣品,,產(chǎn)生的二次電子和離子被收集并成像或利用物理碰撞來實現(xiàn)切割或研磨。! l9 u1 `# y: `$ b f
3 聚焦離子束曝光技術(shù)
# s" A( ]2 I! r, R3.1 聚焦離子束曝光技術(shù)概述 ( X) a+ ~! G7 H4 S9 J, F- d& w: C
聚焦離子束曝光是一種類似于電子束曝光的技術(shù),,它是在聚焦離子束技術(shù)基礎(chǔ)上將原子離化后形成離子束的能量控制在10~200keV范圍內(nèi),,再對抗蝕劑進行曝光,從而獲得微細(xì)線條的圖形,。其曝光機理是離子束照射抗蝕劑并在其中沉積能量,,使抗蝕劑起降解或交聯(lián)反應(yīng),形成良溶膠或非溶凝膠,,再通過顯影,,獲得溶與非溶的對比圖形。
# f" ?1 u, u8 H( m2 S3 O/ a聚焦離子束曝光技術(shù)自發(fā)展以來,,由于其曝光深度有限以及曝光系統(tǒng)與曝光工藝的復(fù)雜性,,發(fā)展受到了限制。但在實驗條件下,,聚焦離子束仍可作為制作小批量研究性質(zhì)的器件的一種工具,。真正把聚焦離子束認(rèn)真地作為一種大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的曝光工具來開發(fā)是20世紀(jì)90年代后期的聚焦離子束投影曝光技術(shù)。
3 y; p& o* ]% ?& P( r3.2 聚焦離子束投影曝光技術(shù)
$ j3 f/ M d! b+ w# E根據(jù)是否有靜電離子投影鏡,,聚焦離子束投影曝光技術(shù)可分為有掩模的1:1聚焦離子束投影曝光和有掩模的聚焦離子束縮小投影曝光兩類,。
1 V% H$ u+ h2 ?2 a- s" ?圖3表示的是有掩模的1:1聚焦離子束曝光示意圖,它包括離子源,、離子束照明系統(tǒng),、鏤空掩模和工件臺等。它是將平行的離子束照射在鏤空掩模上,,使掩模上的圖像直接映在下面的工件臺上,,象拍照一樣一次性產(chǎn)生曝光圖形。 5 c/ m8 \2 Z6 t1 [/ r$ S- n
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圖4是有掩模的離子束縮小投影曝光的原理示意圖,,它包括離子源、離子束系統(tǒng),、鏤空掩模,、靜電離子束投影鏡和工件臺等。它是在掩模和工件間加一個靜電離子束投影鏡,,使經(jīng)過掩模的圖像按比例縮小到工件臺上,,從而使曝光圖形的線寬得到進一步的縮小,同時也縮小了掩模制作上的缺陷,,大大地降低了掩模的制作難度,。然而這種掩模也面臨著應(yīng)力和入射離子造成的發(fā)熱等問題,,為此采取了一系列措施,如:對掩模進行摻雜,;對膜增加保護層,;設(shè)計掩模冷卻系統(tǒng)及通過有限元分析改進了掩模框架的設(shè)置,,避免氣流對掩模造成振動等,。
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3.3 聚焦離子束投影曝光技術(shù)的優(yōu)點
, V) }/ u V! W聚焦離子束投影曝光除了前面已經(jīng)提到的曝光靈敏度極高和沒有鄰近效應(yīng)之外還包括焦深大于曝光深度可以控制。離子源發(fā)射的離子束具有非常好的平行性,,離子束投影透鏡的數(shù)值孔徑只有0.001,,其焦深可達100μm,也就是說,,硅片表面任何起伏在100μm之內(nèi),,離子束的分辨力基本不變。而光學(xué)曝光的焦深只有1~2μm為,,圖5顯示了聚焦離子束投影曝光獲得的線條圖形,。線條跨越硅片表面的起伏結(jié)構(gòu)時其線寬沒有任何變化。聚焦離子束投影曝光的另一個優(yōu)點是通過控制離子能量可以控制離子的穿透深度,,從而控制抗蝕劑的曝光深度,。 ! `/ _- Q; b8 z1 s& ~' E
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4 結(jié)論
& v1 a% v! _1 Y( C聚焦的離子束在半導(dǎo)體行業(yè)有著重要作用,可用來切割納米級結(jié)構(gòu),,對光刻技術(shù)中的屏蔽板進行修補,,制作透射電鏡樣品,分離和分析集成電路的各個元件,,激活由特殊原子組成的材料,,使其具有導(dǎo)電性等等。我國的科研單位及高等院校在聚焦離子束曝光技術(shù)及其應(yīng)用方面也作了大量的研究工作并取得了可喜的成績,。我們相信,,隨著我國微電子工業(yè)的發(fā)展,聚焦離子束曝光技術(shù)及其應(yīng)用技術(shù)也必將被提高到新的水平,。 |
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