英特爾1.8nm工藝搶先量產(chǎn),，臺(tái)積電：不評(píng)價(jià)

Insigne

在今年IEDM會(huì)議（國際電子器件會(huì)議）上,，英特爾公布了其工藝技術(shù)路線圖以及未來三到四年內(nèi)可用的芯片設(shè)計(jì)愿景。

4 [: }' i. C  Q& v5 Y

該計(jì)劃透露了英特爾 18A（等效1.8 nm級(jí)）工藝的最新時(shí)間表,，預(yù)計(jì)將該工藝提前至2024 年下半年進(jìn)入大批量制造 (HVM),，這將遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過臺(tái)積電2nm工藝的進(jìn)度。

" e& Z+ ]+ n& o' v5 A* Z

面對(duì)英特爾的挑戰(zhàn),，臺(tái)積電聯(lián)席CEO魏哲家在近期回應(yīng)稱,，他不會(huì)評(píng)價(jià)競(jìng)爭對(duì)手的發(fā)展，但同時(shí),，“臺(tái)積電的N3工藝率先實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn),，是當(dāng)前最先進(jìn)的，N2工藝還會(huì)再次這么做,，甚至?xí)�擴(kuò)大領(lǐng)導(dǎo)地位,。”

據(jù)報(bào)道稱,，英特爾18A工藝是該公司掌握五代CPU工藝中的最后一環(huán),，是20A工藝的改進(jìn)版，每瓦性能比提升10%,，同時(shí)它也是對(duì)外代工的主力,。也就在前不久，英特爾與ARM達(dá)成了合作協(xié)議,，將基于18A工藝為ARM生產(chǎn)芯片。

而臺(tái)積電的2nm工藝將放棄FinFET晶體管結(jié)構(gòu),，首次使用GAA晶體管,，相較于其N3E（3nm的低成本版）工藝，在相同功耗下,，臺(tái)積電2nm工藝的性能將提升10~15%,。但相較于前代工藝，升級(jí)幅度并不大。

3 l  H, n# b( J: Y

在英特爾看來,，18A工藝是與臺(tái)積電競(jìng)爭的關(guān)鍵,，后者的2nm工藝預(yù)計(jì)在2025年才能量產(chǎn)。