沒有EUV光刻機，能國產7nm芯片么,？

Callejon

近日,，華為Mate 60 Pro手機搭載的麒麟9000S處理器，將公眾視線再次聚焦到了國產芯片制造之上,。

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雖然目前代工廠未知,，工藝未知，甚至GPU,、CPU核等都有很多未知,，但不妨礙大家的興奮和猜測，那就是沒有EUV光刻機,，我們能不能國產7nm的芯片,？

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事實上，這個問題已經是老生常談了,，ASML目前在售的DUV光刻機中,，有四種高端的浸潤式光刻機，分別是NXT:2100i,、NXT:2050i,、NXT:2000i、NXT:1980Di,。

這4種浸潤式光刻機,，最高都是能夠實現7nm芯片工藝的，怎么來實現呢,，用的是多重曝光技術,。

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并且目前這種多重曝光技術,，還有三種不同的方案，三種方案均可以在沒有EUV光刻機,，僅有浸潤式光刻機的情況之下,，實現7nm工藝。

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這三種方式分別是LELE,、LFLE,、SADP。

具體來說,，LELE是指將原本一層的電路,，拆分成幾層進行光刻機，這樣即使是DUV光刻機,，也可以實現7nm,。

LFLE與LELE差不多，區(qū)別就是LELE是直接拆分成幾層來光刻,，而LFLE則是將第二層光刻膠加在第一層已被化學凍結但沒去除的光刻膠上,，再次進行光刻，形成兩倍結構,。

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而SADP技術則與上面兩種完全不一樣了,，SADP又稱側墻圖案轉移，用沉積,、刻蝕技術提高光刻精度,。

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不過大家要注意的是，不管是LELE,，還是LFLE,，或者SADF技術，都提高了對刻蝕,、 沉積光刻等工藝的技術要求,，同時對工作臺的要求也非常高，因為多次對準,，不能有偏移,。

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而通過多重曝光影響也比較大，一是會導致良率降低,，畢竟多曝光一次,，誤差肯定就會變大，所以良率就會降低一些,。

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同時多曝光一次,，就相當于光刻的工時翻倍，效率降低一半,，那么成本也會增加一倍,。

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所以如果光刻機精度跟得上的情況下,，一般不會采用多次曝光的技術，因為效率降低,，同時良率也會顯著下滑,，最終導致成本可能成倍數上漲，非常不劃算的,。

只有在買不到高精度的光刻機,，又急需工藝較先進的芯片時，就不去考慮成本,，不得不采用多重曝光技術了,。

所以我這也算是給大家解釋了，為什么沒有EUV光刻機,，也能夠生產7nm芯片的原因,。不過要進入5nm，就必須使用EUV光刻機,，因為DUV光刻機精度有限,，不能無限的多次曝光，按照專業(yè)人士的說法,，目前的DUV光刻技術下,，最多4次曝光，最多也只能達到7nm,。

opaqueboy

我只有鄙視和震驚，你總咬著不放,，,，兔子可難受了。要這個干啥毛用,。賣地賣磚不香么,？還能長治久安。

丹楓911

說來說去現在連50納米的都做不了,，估計10年內都做不到20納米的

zxzx2

1,、中興突破技術到7nm
2、買二手設備翻新加工7nm

周經理

不明白想表達什么