沒(méi)有EUV光刻機(jī),，能?chē)?guó)產(chǎn)7nm芯片么,？

Callejon

近日，華為Mate 60 Pro手機(jī)搭載的麒麟9000S處理器,，將公眾視線再次聚焦到了國(guó)產(chǎn)芯片制造之上,。

雖然目前代工廠未知，工藝未知，甚至GPU,、CPU核等都有很多未知,，但不妨礙大家的興奮和猜測(cè)，那就是沒(méi)有EUV光刻機(jī),，我們能不能?chē)?guó)產(chǎn)7nm的芯片,？

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事實(shí)上，這個(gè)問(wèn)題已經(jīng)是老生常談了,，ASML目前在售的DUV光刻機(jī)中,，有四種高端的浸潤(rùn)式光刻機(jī)，分別是NXT:2100i,、NXT:2050i,、NXT:2000i、NXT:1980Di,。

這4種浸潤(rùn)式光刻機(jī),，最高都是能夠?qū)崿F(xiàn)7nm芯片工藝的，怎么來(lái)實(shí)現(xiàn)呢,，用的是多重曝光技術(shù),。

并且目前這種多重曝光技術(shù)，還有三種不同的方案,，三種方案均可以在沒(méi)有EUV光刻機(jī),，僅有浸潤(rùn)式光刻機(jī)的情況之下，實(shí)現(xiàn)7nm工藝,。

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這三種方式分別是LELE,、LFLE、SADP,。

具體來(lái)說(shuō),，LELE是指將原本一層的電路,，拆分成幾層進(jìn)行光刻機(jī),，這樣即使是DUV光刻機(jī)，也可以實(shí)現(xiàn)7nm,。

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LFLE與LELE差不多,，區(qū)別就是LELE是直接拆分成幾層來(lái)光刻，而LFLE則是將第二層光刻膠加在第一層已被化學(xué)凍結(jié)但沒(méi)去除的光刻膠上,，再次進(jìn)行光刻,，形成兩倍結(jié)構(gòu)。

而SADP技術(shù)則與上面兩種完全不一樣了,，SADP又稱側(cè)墻圖案轉(zhuǎn)移,，用沉積、刻蝕技術(shù)提高光刻精度,。

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不過(guò)大家要注意的是,，不管是LELE,，還是LFLE，或者SADF技術(shù),，都提高了對(duì)刻蝕,、 沉積光刻等工藝的技術(shù)要求，同時(shí)對(duì)工作臺(tái)的要求也非常高,，因?yàn)槎啻螌?duì)準(zhǔn),，不能有偏移。

而通過(guò)多重曝光影響也比較大,，一是會(huì)導(dǎo)致良率降低,，畢竟多曝光一次，誤差肯定就會(huì)變大,，所以良率就會(huì)降低一些,。

同時(shí)多曝光一次，就相當(dāng)于光刻的工時(shí)翻倍,，效率降低一半,，那么成本也會(huì)增加一倍。

所以如果光刻機(jī)精度跟得上的情況下,，一般不會(huì)采用多次曝光的技術(shù),，因?yàn)樾�率降低，同時(shí)良率也會(huì)顯著下滑,，最終導(dǎo)致成本可能成倍數(shù)上漲,，非常不劃算的。

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只有在買(mǎi)不到高精度的光刻機(jī),，又急需工藝較先進(jìn)的芯片時(shí),，就不去考慮成本，不得不采用多重曝光技術(shù)了,。

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所以我這也算是給大家解釋了,，為什么沒(méi)有EUV光刻機(jī)，也能夠生產(chǎn)7nm芯片的原因,。不過(guò)要進(jìn)入5nm,，就必須使用EUV光刻機(jī)，因?yàn)镈UV光刻機(jī)精度有限,，不能無(wú)限的多次曝光,，按照專業(yè)人士的說(shuō)法，目前的DUV光刻技術(shù)下,，最多4次曝光,，最多也只能達(dá)到7nm。

丹楓911

說(shuō)來(lái)說(shuō)去現(xiàn)在連50納米的都做不了，估計(jì)10年內(nèi)都做不到20納米的

zxzx2

1,、中興突破技術(shù)到7nm
2,、買(mǎi)二手設(shè)備翻新加工7nm

周經(jīng)理

不明白想表達(dá)什么