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光刻機(jī)做成“光刻廠”,,靠不靠譜?

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發(fā)表于 2023-9-19 16:42:11 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式

距離華為Mate 60 pro突然開售已經(jīng)過(guò)去半個(gè)月,,線上預(yù)訂的粉絲們最近都陸續(xù)收到了新機(jī),。


但由于華為官方一直沒(méi)有召開手機(jī)發(fā)布會(huì),因此這款手機(jī)上依然有非常多的謎團(tuán)等待解開,。


就例如,,這顆突然“空降”的麒麟9000s處理器,究竟算不算5G芯片,?華為又是如何在重重封鎖下,,“手搓”這顆純國(guó)產(chǎn)芯片呢?


在這里,,我們就不對(duì)華為背后的技術(shù)和進(jìn)行過(guò)多揣測(cè),,但可以肯定的是,國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)技術(shù)在近期有不小的突破,。


巧的是,,就在最近,一項(xiàng)來(lái)自清華大學(xué)的光刻機(jī)技術(shù)在網(wǎng)絡(luò)上火了起來(lái),,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),,就是把光刻機(jī)做得足夠大,就能生產(chǎn)出EUV光刻機(jī)需要的光源,。



這樣的腦洞,,不僅路人們聽上去玄乎,就連不少技術(shù)人員也表示了驚嘆,。


一時(shí)間,,網(wǎng)上的解讀和質(zhì)疑聲也是層出不窮。


什么是SSMB

這項(xiàng)由清華大學(xué)提出的技術(shù),,專業(yè)術(shù)語(yǔ)名叫“穩(wěn)態(tài)微聚束”(steady-state micro-bunching),,簡(jiǎn)稱SSMB,是一種新型的粒子加速器光源,。


最早由清華大學(xué)杰出訪問(wèn)教授趙午教授與其博士生于2010年提出,,并在2017年,與清華大學(xué)工程物理系教授唐傳祥合作,,共同發(fā)起理論實(shí)驗(yàn),。


在2022年的中國(guó)物理學(xué)會(huì)秋季學(xué)術(shù)會(huì)議上,研究組成員潘志龍?zhí)岬搅擞蒘SMB技術(shù)造出來(lái)的光刻機(jī),,叫作“SSMB-EUV”光刻機(jī),,而這也正是最近討論的話題的來(lái)源,。


圖源 |寇享學(xué)術(shù)


SSMB背后涉及的原理非常復(fù)雜,筆者并不能完全解釋,,所以這里就結(jié)合幾位科普博主的講解視頻,,簡(jiǎn)單進(jìn)行一點(diǎn)概括。


首先,,光刻機(jī)的原理,,是利用光刻機(jī)發(fā)出的光源,通過(guò)設(shè)定好圖形的光罩,,對(duì)涂有光刻機(jī)的硅板進(jìn)行曝光,,從而“刻”出電子線路圖,再進(jìn)行一些后期加工,,最終形成芯片的雛形,。


如果光源的波長(zhǎng)越短、功率越大,,這樣的“光刀”就更加鋒利,,“雕刻”出來(lái)的電子線路圖也就更加精密,芯片的性能與算力也就越強(qiáng),。目前,,波長(zhǎng)僅為13.5nm的極紫外光(EUV),是高端芯片的唯一選擇,。


從電磁波譜上看,,EUV已經(jīng)非常接近X-射線,這么高的能量,,單靠物理操作很難實(shí)現(xiàn),。


ASML采用的是LPP模式,通過(guò)一臺(tái)功率大于20 kW的CO2氣體激光器轟擊液態(tài)錫,,形成等離子體,,從而產(chǎn)生極紫外光。


圖 |LPP-EUV


在找到EUV光源解決方案后,,加上多年以來(lái)的光刻技術(shù),,ASML做出業(yè)內(nèi)最頂尖的EUV光刻機(jī),最終壟斷了整個(gè)市場(chǎng),。


值得一提的是,,為ASML提供EUV技術(shù)的是美國(guó)公司Cymer,這是全球唯一能夠提供商用EUV光源的公司,,國(guó)內(nèi)自然無(wú)法從外部解決光源問(wèn)題,。


不過(guò),實(shí)現(xiàn)EUV光源的方案不止一種,,清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)想到了用加速器加速電子,,從而產(chǎn)生高功率的輻射,。


簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),,電子只要加速運(yùn)動(dòng),,就會(huì)發(fā)射電磁波,理論上只要加速度夠快,,那么必然出現(xiàn)符合EUV波長(zhǎng)的“光子”,。


但光有一個(gè)“光子”還不夠,想做光刻機(jī)需要穩(wěn)定的“光束”,。


研究人員發(fā)現(xiàn),,當(dāng)電子束繞過(guò)加速器后,受到磁場(chǎng)的作用,,會(huì)形成精細(xì)的微結(jié)構(gòu),,這種就是“微聚束”。


圖源 | 《自然》雜志


再讓這些微聚束穿入激光陣列,,通過(guò)激光與電子的相互作用,,形成有一定間隔,相對(duì)聚集的排列,,就這樣,,微聚束被“穩(wěn)態(tài)”地保持了。


就這樣,,穩(wěn)態(tài)微聚束呈現(xiàn)出極紫外光的高功率與短波長(zhǎng),,算得上一種全新的EUV光源解決思路。


光刻機(jī)做成“光刻廠”,,靠不靠譜,?

解釋完SSMB技術(shù),光刻廠又是怎么一回事,?


在網(wǎng)上,,有人把“SSMB-EUV”光刻機(jī)稱作光刻工廠,甚至給出了工廠所在的地河北雄安新區(qū),,并貼出了相關(guān)圖片(注:網(wǎng)傳圖片為高能同步輻射光源項(xiàng)目,,并非SSMB設(shè)施)。


據(jù)悉,,除了3nm工藝外,,4nm、7nm,、14nm,、28nm,但凡你聽說(shuō)過(guò)的芯片制程工藝,,都能在這個(gè)光刻工廠里解決,。


圖源 | 微博


為了更好地理解,,有人形象地將光刻工廠比喻成籃球架——如果說(shuō)以前最中心的籃筐里(3nm)難度很大,那么就多加幾個(gè)籃筐(其他工藝),,只要投籃次數(shù)夠多,,總能投到最中心籃筐,而投不進(jìn)的話,,掉到其他籃筐里也能得分,。


從原理上來(lái)說(shuō),光刻工廠和SSMB技術(shù)確實(shí)有很大的關(guān)聯(lián)性,,都是利用電子束加速產(chǎn)生電磁波,,從而得到對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)。由于粒子加速器體積大(加速器周長(zhǎng)100-150米),,同時(shí)需要很多配套設(shè)施,,因此占地規(guī)模大也非常正常。


當(dāng)然,,方案可行,,實(shí)施起來(lái)并沒(méi)有那么容易


首先,,從官方新聞稿看,,這次在雄安新區(qū)落地的SSMB-EUV光源設(shè)施項(xiàng)目更接近科研用途,而不是實(shí)際生產(chǎn),。


從研發(fā)進(jìn)程來(lái)看,,SSMB-EUV技術(shù)在2021年在《Nature》雜志上正式刊登,通過(guò)原理驗(yàn)證實(shí)驗(yàn),,想在短時(shí)間內(nèi)跨過(guò)下一步驗(yàn)證,,走向商用,還要一定時(shí)間,。


其實(shí),,不論是光刻機(jī)還是光刻工廠,光源只是光刻機(jī)中的關(guān)鍵設(shè)備之一,,其他配套設(shè)備同樣不可或缺,。


作為一種全新的方案,其他國(guó)產(chǎn)替代設(shè)備是否適配SSMB-EUV技術(shù),,還是一個(gè)未知數(shù),。


最后,就是不少人提到的能源消耗和使用成本高的問(wèn)題,,雖然后續(xù)可以通過(guò)建造多條生產(chǎn)線將成本攤薄,,但這就需要極強(qiáng)的規(guī)劃能力和長(zhǎng)期運(yùn)營(yíng)能力。

總之,,方案有了,,思路有了,,光刻工廠值得期待,但距離實(shí)際生產(chǎn)還有一段距離,。


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發(fā)表于 2023-9-20 09:38:42 | 只看該作者
   不懂,,不過(guò)看這個(gè)宣傳方式就不是好事,,大家都知道一個(gè)道理叫悶聲發(fā)大財(cái),。這種短視頻天天講的,肯定是有某些目的的,。
   如果技術(shù)原理沒(méi)問(wèn)題,,合理的經(jīng)濟(jì)投入,優(yōu)秀的管理團(tuán)隊(duì),,優(yōu)秀的技術(shù)團(tuán)隊(duì)再加時(shí)間,,應(yīng)該是沒(méi)問(wèn)題的。但是這種宣傳就容易有資本介入,,也容易引起一些居心不良的人或者國(guó)家注意,,到時(shí)候收買或者安插幾個(gè),可以做決策的人,,隨意做幾個(gè)錯(cuò)誤的決策,,經(jīng)濟(jì)時(shí)間損失就不一定多少。
2#
發(fā)表于 2023-9-19 18:03:18 | 只看該作者

ヾ(❀╹◡╹)ノ~✧:;
期待~~~~~~···


3#
發(fā)表于 2023-9-19 19:16:55 | 只看該作者
看了很多這方面的報(bào)道,,說(shuō)實(shí)話,,沒(méi)有一家能解釋的清楚這個(gè)所謂光刻廠原理的。
也沒(méi)有一家能說(shuō)清中國(guó)7納米芯片怎么來(lái)的,。

點(diǎn)評(píng)

現(xiàn)在是立體布置晶體管,,而晶體管數(shù)量是按照晶片平面面積折算的,線寬也大于所謂的多少nm,。  發(fā)表于 2023-9-20 10:56
同樣的晶體管數(shù)量,,面積如果要縮減為原來(lái)的一半,那尺寸就該縮減為0.7倍,,所以x nm僅僅表示比上一代半導(dǎo)體晶體管密度增加了  發(fā)表于 2023-9-20 08:30
臺(tái)積電第一代7nm工藝就是用的DUV,,另外所謂xnm,并不是生產(chǎn)的晶體管真的有什么尺寸達(dá)到了x nm,,x nm只是一個(gè)類似華為mate 6的工藝代號(hào),,  發(fā)表于 2023-9-20 08:27

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