前沿科技之“超柔”有機(jī)晶體管

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東京大學(xué)的研究小組開發(fā)出了曲率半徑僅為0.1～0.3mm、“即使折起來或揉成一團(tuán)性能也不會劣化的超柔（Ultra-Flexible）”有機(jī) CMOS環(huán)形振蕩器（Ring Oscillator）和TFT陣列薄膜（Array Sheet）,，并試制出了醫(yī)用導(dǎo)管,。設(shè)想應(yīng)用于直徑2mm左右的血管內(nèi)部凹凸處的檢查和覆蓋人體皮膚表面使用的各種醫(yī)用傳感器等,。論文已刊登于《Nature Materials》2010年11月7日的在線版上。該產(chǎn)品還將出現(xiàn)在2010年12月發(fā)行的雜志封面上,。 開發(fā)該產(chǎn)品的是東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究科,、電氣系工學(xué)專業(yè)的染谷隆夫教授和關(guān)谷毅講師的研究小組注1）。該研究小組此前曾開發(fā)出過安裝在柔性有機(jī)TFT陣列薄膜上的多種功能器件,。

但是,，包括染谷及其它研究小組的試制實例在內(nèi)，原有的高柔性有機(jī)晶體管薄膜領(lǐng)域存在以下幾個課題,。（1）彎曲半徑最小只能達(dá)到0.5mm,，一般情況 下，數(shù)mm已經(jīng)為極限值,；（2）驅(qū)動電壓與彎曲半徑之間存在此消彼長的關(guān)系,，在彎曲半徑為0.5mm的情況下，驅(qū)動電壓高達(dá)40V,；(3)除了采用轉(zhuǎn)印法 之外,，實現(xiàn)CMOS電路較為困難且量產(chǎn)性較低；（4）難以實現(xiàn)微細(xì)化,，工作性能存在極限,，等等。此次染谷等研究人員解決了上面提到的所有課題,。

  `  V% n7 p- q+ v具體來說就是把彎曲半徑最小縮小到了0.1mm,，為原來的幾十分之1～1/5，通過將柵極絕緣膜厚度從原來的500nm大幅降為5～6nm,，驅(qū)動電壓 降低到了2V左右,，不到原來的1/10。另外,，由于開發(fā)出了在室溫或100℃以下制造較薄的柵極絕緣膜,、半導(dǎo)體和各電極的工藝，因此在不耐熱的超柔 （Ultra-Flexible）基板上直接制作CMOS電路便成為可能,。另外,，由于能夠降低驅(qū)動電壓，有機(jī)晶體管按照縮放比例（scaling）實現(xiàn)制 造工藝微細(xì)化的效果也令人期待,。

事實上,，此次制成的5段有機(jī)CMOS環(huán)形振蕩器在低電壓驅(qū)動的情況下,，實現(xiàn)了每段延遲僅為4.5ms的“全球最快速度”（染谷）。通道長為20μm,。

" }" u: N' B; d  ~; B* R) E3 u$ W) h+ zCMOS電路中使用的p型有機(jī)半導(dǎo)體采用了并五苯,。遷移率μ高達(dá)0.5cm2/Vs。另一方面,，n型有機(jī)半導(dǎo)體采用了氟代酞菁銅（F16CuPc）,。雖然μ為0.02cm2/Vs，與并五苯有一定差距,，但“這種程度的差距可以在電路方進(jìn)行補(bǔ)償”（染谷）,。
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( u1 m  ~: L1 W% a通過在凹凸不平的基板上涂布“粉底”實現(xiàn)平坦化

此次開發(fā)的最大要點是，在保證高成品率的同時減小了柵極絕緣膜的厚度,，從而降低了驅(qū)動電壓,。同時，這也得益于薄膜基板大幅實現(xiàn)了平坦化,。

$ d& L: ]- t; h1 M在厚度為12.5μm,、有幾十nm凹凸的市售聚酰亞胺基板上，采用旋轉(zhuǎn)涂布法涂布上聚酰亞胺前體,，然后加熱到180℃,，這種前體就變成聚酰亞胺，在遮 蓋住基板凹凸不平之處的同時,，也與基板融為一體,。平坦化后的凹凸處“為0.2～0.3nm左右，平坦程度幾乎達(dá)到原子級別”（染谷）,。因此,，憑借可與利用 硅基板時相匹敵的可靠性，有望制造較薄的柵極絕緣膜和更高性能的半導(dǎo)體,。（