美國(guó)黑科技：激光使電子設(shè)備不再依賴(lài)半導(dǎo)體材料

寂靜天花板

據(jù)外媒報(bào)道,，美國(guó)加州大學(xué)圣地亞哥分校科學(xué)家開(kāi)發(fā)了一種新型微電子設(shè)備,，未來(lái)PC中由半導(dǎo)體材料制造的處理器可能被取而代之。
5 o1 l1 ]2 z3 T5 C

這一新技術(shù)還處于早期的開(kāi)發(fā)階段,，但它牽涉一些有趣的研究和頗具科幻色彩的概念,。加州大學(xué)圣地亞哥分校工程師開(kāi)發(fā)了一種由光控制的微電子設(shè)備，其中包含由金納米管構(gòu)成的超穎表面,。受到激光照射后,，超穎表面能產(chǎn)生高強(qiáng)度電場(chǎng)。

這種不采用半導(dǎo)體材料的新型微電子設(shè)備，有朝一日將解決現(xiàn)代微處理器所面臨的一個(gè)難題,。處理器依靠電子遷移正常運(yùn)行,，問(wèn)題是，這些電子會(huì)不斷與原子碰撞,，其中許多電子可能遷移不到它們的目的地——在處理器運(yùn)行過(guò)程中,，許多電子損耗了。

這種新型微電子設(shè)備通過(guò)“模仿”老式真空管——當(dāng)然是在微尺度上,，嘗試解決這一問(wèn)題,。設(shè)備中的蘑菇形狀納米管，在硅晶圓上形成超穎表面,，兩者用二氧化硅層隔開(kāi),。當(dāng)施加低直流電壓、照射低能量紅外激光時(shí),，這一結(jié)構(gòu)就能夠產(chǎn)生高強(qiáng)度電場(chǎng),，使電子能“自由”遷移。

這種試驗(yàn)性技術(shù)能一次性使更多電子受到控制,，受到更少干擾,，這意味著采用這一技術(shù)制造的處理器性能將超過(guò)當(dāng)前基于半導(dǎo)體材料的處理器。這一技術(shù)被應(yīng)用在智能手機(jī)中還需要相當(dāng)長(zhǎng)一段時(shí)間,，但它是解決現(xiàn)代電子設(shè)備面臨的一個(gè)幾乎無(wú)解問(wèn)題的有趣概念和途徑,。

$ u/ R9 M6 H$ V+ V